تیم تحقیقاتی دانشگاه جانز هاپکینز به رهبری پروفسور هوارد کاتز و دانشجوی فارغ‌التحصیل رایلی باند به کشفی مهم دست یافته‌اند که می‌تواند نحوه عملکرد حافظه در دستگاه‌های الکترونیکی را متحول کند.
آن‌ها با اصلاح مواد مورد استفاده در ترانزیستورهای آلی، نوع جدیدی از ممریستور را توسعه داده‌اند؛
دستگاهی که قابلیت به خاطر سپردن حالت‌های شارژ گذشته را دارد.
محققان با معرفی مولکولی به نام دی‌بنزو تتراتیافولوالن (DBTTF) در ترانزیستورها، کریستال‌هایی در لایه عایق ایجاد کردند که امکان ذخیره بار را فراهم می‌کند.
پس از اعمال جریان کوچک، مشخص شد که ترانزیستورهای اصلاح‌شده قادر به حفظ شارژهای گذشته خود هستند و عملکردی مشابه ممریستورها از خود نشان می‌دهند.
این رفتار حافظه‌مانند در ترانزیستورها، که جریان را بر اساس ولتاژهای پیشین تنظیم می‌کند، شبیه به نحوه ایجاد حافظه در مغز انسان با تطبیق مسیرهای عصبی است.
ویژگی‌های ممریستورمانند این ترانزیستورهای جدید، می‌تواند به تولید انواع پیشرفته‌ای از سیستم‌های حافظه الکترونیکی منجر شود که عملکرد مغز را شبیه‌سازی می‌کنند.
این سیستم‌ها کارایی بالاتر و مصرف انرژی کمتری نسبت به روش‌های ذخیره‌سازی مبتنی بر ترانزیستورهای سنتی خواهند داشت.
تیم تحقیقاتی در حال گسترش این پروژه است تا بررسی کند که آیا انواع دیگر ترانزیستورها نیز قابلیت مشابهی دارند و می‌توانند برای توسعه این فناوری حافظه نوین به کار گرفته شوند.
منبع: Tech Xplore
